零件编号 FQB4N90TM-ND

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQB4N90TM

数据列表 FQB4N90, FQI4N90;

标准包装   800

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 QFET®

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC

Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V

Vgs（值） ±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF

Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3.13W（Ta），140W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.3 欧姆 @ 2.1A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

 时光流转，2017年即将过去，这一年，对于电视行业来说是血雨腥风“惨痛”的一年。由于上游面板供需紧张，导致电视行业迎来了一场涨价风波，这对于电视厂商来说都是无言的创伤。而市场的低迷环境，也让电视厂商们的日子过的愈发艰难。但尽管如此，电视行业并未停下前进的脚步，OLED显示技术成熟、激光电视悄然壮大、8K电视正式落地，电视行业之间的争夺较量从未停止。