零件编号 FQB4P40TM-ND

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

FQB4P40TM

数据列表 FQB4P40, FQI4P40;

标准包装   800

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 QFET®

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 400V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC

Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V

Vgs（值） ±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF

Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3.13W（Ta），85W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.1 欧姆 @ 1.75A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

2、OLED电视席卷而来

对液晶电视造成冲击的无疑是OLED电视，今年以来OLED显示技术进步神速，尤其是在厂商的推动下，其普及速度飞快无比，整个市场都迎来了一阵OLED热潮。