零件编号 STGWA60V60DF-ND

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STGWA60V60DF

数据列表 STGW(A,T)60V60DF;

标准包装   30

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

系列 -

规格

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（值） 600V

电流 - 集电极（Ic）（值） 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 240A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，60A

功率 - 值 375W

开关能量 750μJ（开），550μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 334nC

25°C 时 Td（开/关）值 60ns/208ns

测试条件 400V，60A，4.7 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 74ns

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247 长引线

随着我国IC业新一轮爆发式增长与成长，半导体产业园遍地开花，政府与企业大力投资建厂或扩产，曾经的IC版图已经悄然发生了改变，形成了晶圆代工、存储等竞争格局。

与非网《芯片世界地图》对北京、上海、深圳、南京、无锡、合肥、武汉等地IC格局进行了详细的盘点。透过盘点可以看出2017年的投资重点以省会及有根基或者实力的二三线城市。下面我们就来看看2017年我国各地方IC版图的扩展情况。