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产品信息
产品参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 37.9A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 119nC @ 10V
Voltage Coupled to Gate Charge（Qg）（Max） @ Vgs 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2660pF @ 100V
Voltage Coupled to Input Capacitance（Ciss）（Max） @ Vds 100V
FET 功能 -
功率耗散（值） 35W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 99 毫欧 @ 18.1A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
文档
其它有关文件 Part Number Guide
PCN 组件/产地 Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
PCN 设计/规格 LeadFrame Design Chg 25/May/2016
贴片电容品牌：Samsung/三星、TDK、MURATA/村田、太诱、FH/风华、HEC/禾伸堂、华新、PDC/信昌。
贴片电容封装：0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220。
二三极管品牌：ST/意法、TOSHIBA/东芝、CJ/长电、NXP/恩智浦、ON、LRC、MIC。
二三极管封装：LL34、LL41、SMA/DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMC/DO-214AB、SOD-123、SOD-323、SOD-523、SMAF、SOD-123FL、DO-35、DO-41、DO-15、SOT-23
、SOT-89、TO-92、TO-126。